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RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF1570NT1 MRF1570FNT1
TYPICAL CHARACTERISTICS, 400 - 470 MHz
80
5
17
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 15. Gain versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
400 MHz
VDD= 12.5 Vdc
440 MHz
470 MHz
15
13
11
9
7
10 20 30 40 50 60 70
80
0
70
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 16. Drain Efficiency versus Output Power
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
60
50
40
30
20
10
10 20 30 40 50 60 70
400 MHz
VDD= 12.5 Vdc
440 MHz
470 MHz
1600
50
90
400
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
Figure 17. Output Power versus Biasing Current
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
VDD
= 12.5 Vdc
Pin
= 38 dBm
400 MHz
440 MHz
470 MHz
80
70
60
600 800 1000 1200 1400
0
100
Figure 18. Drain Efficiency versus Biasing Current
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
VDD
= 12.5 Vdc
Pin
= 38 dBm
400 MHz
440 MHz
470 MHz
1600
400
IDQ, BIASING CURRENT (mA)
600 800 1000 1200 1400
80
60
40
20
40
100
10
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Figure 19. Output Power versus Supply Voltage
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Pin
= 38 dBm
IDQ
= 800 mA
400 MHz
440 MHz
470 MHz
90
80
70
60
50
11 12 13 14 15
Figure 20. Drain Efficiency versus Supply Voltage
, DRAIN EFFICIENCY (%)
η
0
100
10
VDD, SUPPLY VOLTAGE (VOLTS)
Pin
= 38 dBm
IDQ
= 800 mA
400 MHz
440 MHz
470 MHz
80
40
60
20
11 12 13 14 15
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